国家半导体照明工程十年效果斐然

  本年是我国发动“半导体照明工程”十周年。近来，中科院半导体照明研制中心主任李晋闽向《我国科学报》记者介绍说，我国在根据GaN基LED的白光照明技能方面已获得日新月异的展开。在350毫安的作业电流下，白光LED的发光功率从2004年的20流明/瓦提高到2013年的150流明/瓦。

  据了解，半导体照明的能源消耗只要一般白炽灯的1/10，但其寿数一般能够到达10万小时之后。据预算，假如半导体照明能占据我国1/3的照明商场，每年可节电2000亿度，相当于两个多三峡电站的发电量。

  2003年，在时任半导体所所长李晋闽的主张下，科技部通过深化调研和安排，真实开端发动“国家半导体照明工程”。2004年，数十家企业和科研单位联合展开半导体照明关键技能攻关。2006年，通过两年的准备后，中科院半导体照明研制中心正式建立。

  李晋闽介绍说，中心在深紫外LED研讨方面结出了累累硕果。2008年，中心成功制备国内首支发光波长在300纳米以下的深紫外LED器材，完成了器材的毫瓦级功率输出。“十二五”以来，在“863”项目支持下，由中科院半导体所牵头、国内优势单位参加，现在已成功将深紫外LED的输出功率提高到挨近4毫瓦（20毫安电流下）。

  一起，研制中心在LED工业的中心MOCVD配备中心技能开发方面发展顺畅，开始研制出48片出产型MOCVD设备，为完成工业化创始了杰出局势；研制出HVPE成长体系，并在推行型立式HVPE体系上开宣布HVPE GaN自支撑衬底的成长技能。

  在推动高科技效果转化方面，中科院半导体照明研制中心也效果斐然。在与中心进行技能合作的两大企业中，中材集团入股的扬州中科半导体照明有限公司和另一家湖南企业的出产规模均进入国内前五强，销售额到达十几个亿。

  “下一步，咱们将加大研制力度，加速推动LED工业中心出产设备的国产化，争夺抢占半导体照明产品技能、规范的制高点。”李晋闽表明。